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厂商型号

FGA70N30TTU 

产品描述

IGBT Transistors 300V PDP

内部编号

3-FGA70N30TTU

#1

数量:1450
1+¥24.2707
25+¥22.4986
100+¥21.574
500+¥20.7264
1000+¥19.7248
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:1450
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:1450
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FGA70N30TTU产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
IGBT 型 Trench
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A
- 集电极电流(Ic)(最大) -
功率 - 最大 201W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装 TO-3P
包装材料 Tube
栅极电荷 125nC
安装类型 Through Hole
标准包装 30
时间Td(开/关) @ 25°C 32ns/175ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 1.5V @ 15V, 20A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
供应商设备封装 TO-3P
封装 Tube
功率 - 最大 201W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
IGBT类型 Trench
测试条件 200V, 40A, 15 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 160A
工厂包装数量 30
产品种类 IGBT Transistors
集电极 - 发射极最大电压VCEO 300 V
安装风格 Through Hole
最大栅极发射极电压 +/- 30 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
输入类型 Standard
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 160A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 1.5V @ 15V, 20A
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
闸极电荷 125nC
功率 - 最大值 201W
IGBT 类型 Trench
电压 - 集射极击穿(最大值) 300V

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