Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 30 |
IGBT 型 | Trench |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 300V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 20A |
- 集电极电流(Ic)(最大) | - |
功率 - 最大 | 201W |
Input 型 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
供应商器件封装 | TO-3P |
包装材料 | Tube |
栅极电荷 | 125nC |
安装类型 | Through Hole |
标准包装 | 30 |
时间Td(开/关) @ 25°C | 32ns/175ns |
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 | 1.5V @ 15V, 20A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 300V |
供应商设备封装 | TO-3P |
封装 | Tube |
功率 - 最大 | 201W |
输入类型 | Standard |
封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
IGBT类型 | Trench |
测试条件 | 200V, 40A, 15 Ohm, 15V |
电流 - 集电极脉冲( ICM ) | 160A |
工厂包装数量 | 30 |
产品种类 | IGBT Transistors |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 300 V |
安装风格 | Through Hole |
最大栅极发射极电压 | +/- 30 V |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
输入类型 | Standard |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 160A |
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 1.5V @ 15V, 20A |
封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
闸极电荷 | 125nC |
功率 - 最大值 | 201W |
IGBT 类型 | Trench |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 300V |
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