图片仅供参考,产品以实物为准
| Status | Active |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | No |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 75 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 0.0062 Ohms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-251 |
| 封装 | Tube |
| 下降时间 | 18 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 71 W |
| 上升时间 | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 寿命 | Obsolete |
FDU6682_Q相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
