图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
Marking Content 19/Nov/2013 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Diode (绝缘的) |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 435pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET (2x2) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | P-Channel Diode FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-diode-fets/16460?mpart=FDFMA2P857&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 6MicroFET |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| RDS -于 | 120@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±8 V |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| 典型上升时间 | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 典型下降时间 | 6 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | MicroFET |
| 最低工作温度 | -55 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 120@4.5V |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | MicroFET |
| 最大功率耗散 | 1400 |
| 最大连续漏极电流 | 3 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 6-MicroFET (2x2) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 435pF @ 10V |
| 其他名称 | FDFMA2P857TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 6-WDFN Exposed Pad |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 2 x 2 x 0.75mm |
| 身高 | 0.75mm |
| 长度 | 2mm |
| 最大漏源电阻 | 240 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1.4 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | MicroFET |
| 典型栅极电荷@ VGS | 4 nC V @ -10 |
| 典型输入电容@ VDS | 435 pF V @ -10 |
| 宽度 | 2mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 3 A |
| 封装/外壳 | MicroFET 2 x 2 |
| 下降时间 | 11 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.002116 oz |
| 正向跨导 - 闵 | 7 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 系列 | FDFMA2P857 |
| RDS（ON） | 120 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 1.4 W |
| 上升时间 | 11 ns |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 2mm |
| 典型输入电容值@Vds | 435 pF @ -10 V |
| 系列 | PowerTrench |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 0.75mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 240 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | P |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 1.4 W |
| 最大栅源电压 | ±8 V |
| 宽度 | 2mm |
| 尺寸 | 2 x 2 x 0.75mm |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns |
| 典型关断延迟时间 | 15 ns |
| 封装类型 | MLP |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| 引脚数目 | 6 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4 nC @ 10 V |
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