图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 250V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 550 mOhm @ 3.1A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 16nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 635pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 56W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16104?mpart=FDD7N25LZTM&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 最大连续漏极电流 | 6.2 A |
| RDS -于 | 550@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 15 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 典型下降时间 | 30 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 550@10V |
| 最大漏源电压 | 250 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 筛选等级 | Commercial |
| 最大功率耗散 | 56000 |
| 最大连续漏极电流 | 6.2 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6.2A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| 供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 550 mOhm @ 3.1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 56W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 635pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 16nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDD7N25LZTMCT |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 6.73mm |
| 典型输入电容值@Vds | 480 pF @ 25 V |
| 系列 | UniFET |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 2.39mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 570 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 56 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 6.22mm |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns |
| 典型关断延迟时间 | 75 ns |
| 封装类型 | DPAK |
| 最大连续漏极电流 | 6.2 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 10 V |
| 系列 | FDD7N25LZ |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 430 mOhms |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 正向跨导 - 闵 | 7 S |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 6.2 A |
| 身高 | 2.39 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 长度 | 6.73 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| 技术 | Si |
| Qg - Gate Charge | 12 nC |
| Pd - Power Dissipation | 56 W |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| RoHS | RoHS Compliant |
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