图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
Mold Compound 08/April/2008 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.5A, 2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 95 mOhm @ 2.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 6.6nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 282pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6SuperSOT |
| 渠道类型 | N|P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 2.5@N Channel|2@P Channel A |
| RDS -于 | 95@10V@N Channel|130@10V@P Channel mOhm |
| 最大门源电压 | ±16@N Channel|±25@P Channel V |
| 典型导通延迟时间 | 4.5@N Channel|4.5@P Channel ns |
| 典型上升时间 | 6@N Channel|13@P Channel ns |
| 典型关闭延迟时间 | 19@N Channel|11@P Channel ns |
| 典型下降时间 | 1.5@N Channel|2@P Channel ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±16@N Channel|±25@P Channel |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 95@10V@N Channel|130@10V@P Channel |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | SuperSOT |
| 最大功率耗散 | 960 |
| 最大连续漏极电流 | 2.5@N Channel|2@P Channel |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.5A, 2A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 95 mOhm @ 2.5A, 10V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 282pF @ 15V |
| 其他名称 | FDC6333CTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6.6nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual |
| 外形尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 3mm |
| 最大漏源电阻 | 150 (N-Channel) mΩ, 220 (P-Channel) mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.96 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SuperSOT6 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 4.1 nC @ -10 V (P-Channel), 4.7 nC @ 10 V (N-Channel) |
| 典型输入电容@ VDS | 185 pF @ -15 V (P-Channel), 282 pF @ 15 V (N-Channel) |
| 宽度 | 1.7mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 连续漏极电流 | + 2.5 A, - 2 A |
| 封装/外壳 | SSOT-6 |
| 零件号别名 | FDC6333C_NL |
| 下降时间 | 6 ns at N Channel, 13 ns at P Channel |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.001270 oz |
| 正向跨导 - 闵 | 7 S, 3 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 16 V, +/- 25 V |
| 系列 | FDC6333C |
| RDS（ON） | 95 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 0.96 W |
| 上升时间 | 6 ns at N Channel, 13 ns at P Channel |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| Continuous Drain Current Id | :2.5A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :95mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.8V |
| 功耗 | :960mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SuperSOT |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :2.5A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :30V |
| Voltage Vgs Max | :1.8V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412100 |
| associated | FDC6333C |
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