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厂商型号

BDX33B 

产品描述

Transistors Darlington NPN Epitaxial Sil

内部编号

3-BDX33B

#1

数量:407
1+¥5.1624
25+¥4.7771
100+¥4.623
500+¥4.3918
1000+¥4.1607
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:407
1+¥5.1624
25+¥4.7771
100+¥4.623
500+¥4.3918
1000+¥4.1607
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BDX33B产品详细规格

文档 Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007
Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 200
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 2.5V @ 6mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大) 500µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 750 @ 3A, 3V
功率 - 最大 70W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Bulk
供应商封装形式 TO-220AB
标准包装名称 TO-220
最小直流电流增益 750@3A@3V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极发射极电压 80
封装 Bulk
最大集电极发射极饱和电压 2.5@8mA@4A|2.5@6mA@3A
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 80
Maximum Continuous DC Collector Current 10
最低工作温度 -65
铅形状 Through Hole
类型 NPN
引脚数 3
最大功率耗散 70000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 10A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 2.5V @ 6mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大) 500µA
标准包装 200
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-220
功率 - 最大 70W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 750 @ 3A, 3V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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