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Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007 Multiple Devices 14/Mar/2011 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 200 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 10A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 2.5V @ 6mA, 3A |
电流 - 集电极截止(最大) | 500µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 750 @ 3A, 3V |
功率 - 最大 | 70W |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Bulk |
供应商封装形式 | TO-220AB |
标准包装名称 | TO-220 |
最小直流电流增益 | 750@3A@3V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最大集电极发射极电压 | 80 |
封装 | Bulk |
最大集电极发射极饱和电压 | 2.5@8mA@4A|2.5@6mA@3A |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 80 |
Maximum Continuous DC Collector Current | 10 |
最低工作温度 | -65 |
铅形状 | Through Hole |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大功率耗散 | 70000 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 10A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 2.5V @ 6mA, 3A |
电流 - 集电极截止(最大) | 500µA |
标准包装 | 200 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
供应商设备封装 | TO-220 |
功率 - 最大 | 70W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 750 @ 3A, 3V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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