规格书 |
![]() BDW93(A,B,C) |
文档 |
Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | NPN - Darlington |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 12A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 3V @ 100mA, 10A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 750 @ 5A, 3V |
功率 - 最大 | 80W |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Tube |
最大的基射极饱和电压 | 2.5@20mA@5A|4@100mA@10A |
标准包装名称 | TO-220 |
最小直流电流增益 | 1000@3A@3V|750@5A@3V|100@10A@3V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最大集电极发射极电压 | 100 |
封装 | Rail |
Maximum Continuous DC Collector Current | 12 |
最大集电极发射极饱和电压 | 2@20mA@5A|3@100mA@10A |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 100 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最低工作温度 | -65 |
铅形状 | Through Hole |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大功率耗散 | 80000 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 12A |
晶体管类型 | NPN - Darlington |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 3V @ 100mA, 10A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
标准包装 | 50 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
供应商设备封装 | TO-220 |
功率 - 最大 | 80W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 750 @ 5A, 3V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 50 |
产品种类 | Transistors Darlington |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 12 V |
系列 | BDW93C |
直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
集电极最大直流电流 | 12 A |
最大集电极截止电流 | 100 uA |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
单位重量 | 0.063493 oz |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
最低工作温度 | - 65 C |
零件号别名 | BDW93CTU_NL |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
封装类型 | TO-220 |
Board Level Components | Y |
最高工作温度 | +150 °C |
晶体管类型 | NPN |
最大集电极-基极截止电流 | 1 mA, 100 μA |
安装类型 | 通孔 |
最大集电极-发射极电压 | 100 V |
高度 | 15.95mm |
最大基极-发射极饱和电压 | 4 V |
最大功率耗散 | 80 W |
宽度 | 4.5mm |
尺寸 | 9.9 x 4.5 x 15.95mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
引脚数目 | 3 |
最小直流电流增益 | 100 |
长度 | 9.9mm |
晶体管配置 | 单 |
最大连续集电极电流 | 12 A |
最大集电极-发射极饱和电压 | 3 V |
最大集电极-基极电压 | 100 V |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
身高 | 9.4 mm |
宽度 | 4.7 mm |
长度 | 10.1 mm |
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