1. BDW93CTU
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厂商型号

BDW93CTU 

产品描述

NPN/10A/100V/DARL/TO-220

内部编号

3-BDW93CTU

#1

数量:399
1+¥4.7771
25+¥4.3918
100+¥4.2378
500+¥4.0836
1000+¥3.8525
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:399
1+¥4.7771
25+¥4.3918
100+¥4.2378
500+¥4.0836
1000+¥3.8525
最小起订金额:¥₩600
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#3

数量:70
10+¥5.206
50+¥5.073
100+¥4.9875
500+¥4.9305
1000+¥4.883
最小起订量:10
英国伦敦
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BDW93CTU产品详细规格

规格书 BDW93CTU datasheet 规格书
BDW93(A,B,C)
文档 Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
晶体管类型 NPN - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 12A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 3V @ 100mA, 10A
电流 - 集电极截止(最大) 1mA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 750 @ 5A, 3V
功率 - 最大 80W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Tube
最大的基射极饱和电压 2.5@20mA@5A|4@100mA@10A
标准包装名称 TO-220
最小直流电流增益 1000@3A@3V|750@5A@3V|100@10A@3V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极发射极电压 100
封装 Rail
Maximum Continuous DC Collector Current 12
最大集电极发射极饱和电压 2@20mA@5A|3@100mA@10A
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
供应商封装形式 TO-220AB
最低工作温度 -65
铅形状 Through Hole
类型 NPN
引脚数 3
最大功率耗散 80000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 12A
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 3V @ 100mA, 10A
电流 - 集电极截止(最大) 1mA
标准包装 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 TO-220
功率 - 最大 80W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 750 @ 5A, 3V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 12 V
系列 BDW93C
直流集电极/增益hfe最小值 100
集电极最大直流电流 12 A
最大集电极截止电流 100 uA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 100 V
单位重量 0.063493 oz
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 100 V
最低工作温度 - 65 C
零件号别名 BDW93CTU_NL
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
封装类型 TO-220
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
晶体管类型 NPN
最大集电极-基极截止电流 1 mA, 100 μA
安装类型 通孔
最大集电极-发射极电压 100 V
高度 15.95mm
最大基极-发射极饱和电压 4 V
最大功率耗散 80 W
宽度 4.5mm
尺寸 9.9 x 4.5 x 15.95mm
每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
最小直流电流增益 100
长度 9.9mm
晶体管配置
最大连续集电极电流 12 A
最大集电极-发射极饱和电压 3 V
最大集电极-基极电压 100 V
品牌 Fairchild Semiconductor
身高 9.4 mm
宽度 4.7 mm
长度 10.1 mm

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  • 苏州
  • 0512-68796728
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    0512-67684200
    0512-67687578
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