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厂商型号

BD239CTU 

产品描述

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

内部编号

3-BD239CTU

#1

数量:1000
1+¥2.0804
25+¥1.9262
100+¥1.8492
500+¥1.7722
1000+¥1.6951
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:1000
1+¥2.0804
25+¥1.9262
100+¥1.8492
500+¥1.7722
1000+¥1.6951
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:2000
25+¥3.363
125+¥2.736
250+¥2.6695
1250+¥2.5935
2500+¥2.565
最小起订量:25
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
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BD239CTU产品详细规格

规格书 BD239CTU datasheet 规格书
BD239CTU datasheet 规格书
BD239/A/B/C
BD239CTU datasheet 规格书
文档 Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 700mV @ 200mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 300µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 15 @ 1A, 4V
功率 - 最大 30W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Tube
包装 3TO-220AB
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 100 V
集电极最大直流电流 2 A
最小直流电流增益 40@200mA@4V|15@1A@4V
最大集电极发射极饱和电压 0.7@0.2A@1A V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 30000 mW
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
集电极最大直流电流 2
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220
最低工作温度 -65
最大基地发射极电压 5
封装 Rail
每个芯片的元件数 1
最大功率耗散 30000
供应商封装形式 TO-220AB
最大集电极发射极电压 100
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 700mV @ 200mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 300µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 TO-220
功率 - 最大 30W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 15 @ 1A, 4V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
集电极 - 发射极饱和电压 0.7 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
系列 BD239C
直流集电极/增益hfe最小值 15
集电极 - 发射极最大电压VCEO 115 V
单位重量 0.063493 oz
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 115 V
最低工作温度 - 65 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 2 A
Board Level Components Y
最大直流集电极电流 2 A
最大集电极-基极电压 100 V
最高工作温度 +150 °C
晶体管类型 NPN
安装类型 通孔
最大集电极-发射极电压 115 V
高度 15.7mm
最大功率耗散 30 W
宽度 4.5mm
封装类型 TO-220
每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
最小直流电流增益 15
长度 9.9mm
晶体管配置
最大发射极-基极电压 5 V
最大集电极-发射极饱和电压 0.7 V
尺寸 9.9 x 4.5 x 15.7mm
品牌 Fairchild Semiconductor
Pd - Power Dissipation 30 W
长度 10.1 mm (Max)
身高 9.4 mm (Max)

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