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厂商型号

BC635_D75Z 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

内部编号

3-BC635-D75Z

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

BC635_D75Z产品详细规格

文档 Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 150mA, 2V
功率 - 最大 1W
频率转换 100MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Box (TB)
集电极最大直流电流 1
最小直流电流增益 25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -65
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 100(Typ)
封装 Ammo
每个芯片的元件数 1
最大功率耗散 1000
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 45
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 50mA, 500mA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 150mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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