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厂商型号

BC307BBU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP -45V -100mA HFE/460

内部编号

3-BC307BBU

#1

数量:10000
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:10000
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BC307BBU产品详细规格

文档 Copper Lead Frame 12/Oct/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 15nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 180 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 500mW
频率转换 130MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 PNP
集电极 - 基极电压VCBO - 5 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 45 V
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
集电极 - 发射极饱和电压 - 45 V
集电极最大直流电流 0.1 A
增益带宽产品fT 130 MHz
直流集电极/增益hfe最小值 120
最高工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-92
连续集电极电流 - 0.1 A
直流电流增益hFE最大值 800
最大功率耗散 0.5 W
最低工作温度 - 55 C
封装 Bulk
工厂包装数量 1000
寿命 Obsolete
集电极最大直流电流 0.1
最低工作温度 -55
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 130(Typ)
包装宽度 4.19(Max)
PCB 3
最大功率耗散 500
类型 PNP
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极发射极电压 45
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
包装长度 5.2(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 180@2mA@5V
包装高度 5.33(Max)
最大基地发射极电压 5
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 130MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 15nA
标准包装 1,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 500mW
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 180 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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