1. SGW13N60UFDTM
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SGW13N60UFDTM 

产品描述

IGBT Transistors

内部编号

3-SGW13N60UFDTM

#1

数量:1198
1+¥17.8756
25+¥16.5657
100+¥15.8723
500+¥15.2559
1000+¥14.4854
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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SGW13N60UFDTM产品详细规格

规格书 SGW13N60UFDTM datasheet 规格书
D2-PAK Tape and Reel Data
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 800
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 6.5A
- 集电极电流(Ic)(最大) 13A
功率 - 最大 60W
Input 型 Standard
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D²PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
产品种类 IGBT Transistors
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
集电极 - 发射极饱和电压 34 V
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
连续集电极电流在25 C 13 A
栅极 - 射极漏泄电流 60 W
功率耗散 60 W
最高工作温度 + 150 C
封装/外壳 D2PAK-3
封装 Reel
连续集电极电流Ic最大 13 A
最低工作温度 - 55 C
安装风格 SMD/SMT
工厂包装数量 800
寿命 Obsolete
供应商封装形式 D2PAK
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 13
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 D2PAK
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 60000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
栅极电荷 25nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 13A
安装类型 Surface Mount
标准包装 800
开关能量 180µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 20ns/70ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.6V @ 15V, 6.5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 D²PAK
反向恢复时间(trr ) 37ns
功率 - 最大 60W
输入类型 Standard
测试条件 300V, 6.5A, 50 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 52A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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    010-82149488
    010-62178861
    15810325240
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