Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | IGBT Transistors |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 配置 | Single |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 34 V |
| 最大栅极发射极电压 | +/- 20 V |
| 连续集电极电流在25 C | 13 A |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 60 W |
| 功率耗散 | 60 W |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 封装/外壳 | D2PAK-3 |
| 封装 | Reel |
| 连续集电极电流Ic最大 | 13 A |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 寿命 | Obsolete |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 |
| Maximum Continuous Collector Current | 13 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 渠道类型 | N |
| 最大集电极发射极电压 | 600 |
| 最大功率耗散 | 60000 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 栅极电荷 | 25nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 13A |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 标准包装 | 800 |
| 开关能量 | 180µJ |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 20ns/70ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.6V @ 15V, 6.5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 供应商设备封装 | D²PAK |
| 反向恢复时间（trr ） | 37ns |
| 功率 - 最大 | 60W |
| 输入类型 | Standard |
| 测试条件 | 300V, 6.5A, 50 Ohm, 15V |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 52A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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