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厂商型号

HGTP12N60C3 

产品描述

IGBT Transistors 24a 600V N-Ch IGBT UFS Series

内部编号

3-HGTP12N60C3

#1

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HGTP12N60C3产品详细规格

文档 Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 400
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 12A
- 集电极电流(Ic)(最大) 24A
功率 - 最大 104W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-220AB
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 24
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220
渠道类型 N
封装 Rail
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 104000
最低工作温度 -40
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 48nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 24A
安装类型 Through Hole
标准包装 400
开关能量 380µJ (on), 900µJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 14ns/270ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2V @ 15V, 12A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-220AB
功率 - 最大 104W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 96A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 24 A
集电极 - 发射极电压 600 V
安装 Through Hole
包装类型 TO-220AB
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -40C
工作温度分类 Automotive
配置 Single
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 24 A

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