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#1 |
数量:205 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:205 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:3000 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 FDMS2506SDC |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 25V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 39A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.45 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 93nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 5945pF @ 13V |
| 功率 - 最大 | 3.3W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PQFN, Power56 |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 3300 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 1.45@10V |
| 最大漏源电压 | 25 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 6 |
| 筛选等级 | Commercial |
| 供应商封装形式 | PQFN |
| 包装长度 | 5 |
| PCB | 8 |
| 最大连续漏极电流 | 39 |
| 引脚数 | 8 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 39A (Ta), 49A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | Power56 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.45 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.3W |
| 封装/外壳 | 8-PQFN, Power56 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 5945pF @ 13V |
| 其他名称 | FDMS2506SDCTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 93nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 49 A |
| 系列 | FDMS |
| 单位重量 | 0.003175 oz |
| RDS（ON） | 1.45 mOhms |
| 功率耗散 | 89 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 正向跨导 - 闵 | 171 S |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 25 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 30 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.7 V |
| 宽度 | 5 mm |
| Qg - Gate Charge | 30 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 2 Channel |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 49 A |
| 长度 | 6 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.45 mOhms |
| 身高 | 1.1 mm |
| Pd - Power Dissipation | 89 W |
| 技术 | Si |
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