Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 1.05(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.9@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 6.25(Max) |
| 供应商封装形式 | Power 56 |
| Package Length | 5.1(Max) |
| PCB | 8 |
| Maximum Continuous Drain Current | 19.4 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | No Lead |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 19.4A (Ta), 100A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 80V |
| 供应商设备封装 | Power56 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.9 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7600pF @ 40V |
| 其他名称 | FDMS039N08BTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 100nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5 x 6 x 1.05mm |
| 身高 | 1.05mm |
| 长度 | 5mm |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| 最大漏源电阻 | 3.9 mΩ |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 104 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | PQFN |
| 典型栅极电荷@ VGS | 77 nC V @ 40 |
| 典型输入电容@ VDS | 5715 pF V @ 40 |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 典型导通延迟时间 | 42 ns |
| 宽度 | 6mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 19.4 A |
| 系列 | FDMS039N08B |
| 单位重量 | 0.003175 oz |
| RDS（ON） | 3.2 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | Power 56 |
| 漏源击穿电压 | 80 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 80 V |
| 弧度硬化 | No |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 5mm |
| 典型输入电容值@Vds | 5715 pF @ 40 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 1.05mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 3.9 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 104 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 6mm |
| 尺寸 | 5 x 6 x 1.05mm |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 典型接通延迟时间 | 42 ns |
| 典型关断延迟时间 | 48 ns |
| 封装类型 | PQFN |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 77 nC @ 40 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | PowerTrench |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 19.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.2 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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