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厂商型号

2N3416_D29Z 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Transistor General Purpose

内部编号

3-2N3416-D29Z

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2N3416_D29Z产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 3mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 75 @ 2mA, 4.5V
功率 - 最大 625mW
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.5
最低工作温度 -55
安装 Through Hole
包装宽度 4.19(Max)
PCB 3
最大功率耗散 625
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 50
最大集电极发射极电压 50
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
包装长度 5.2(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 75@2mA@4.5V
包装高度 5.33(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 3mA, 50mA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 75 @ 2mA, 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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