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厂商型号

R1LV0416DBG-5SI#B0 

产品描述

SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 55ns 48-Pin TFBGA

内部编号

294-R1LV0416DBG-5SI-B0

生产厂商

renesas electronics

RENESAS

#1

数量:1000
最小起订量:1
马来西亚吉隆坡
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#2

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R1LV0416DBG-5SI#B0产品详细规格

规格书 R1LV0416DBG-5SI#B0 datasheet 规格书
文档 Multiple Devices 21/Mar/2014
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1
格式 - 记忆 RAM
Memory 型 SRAM
内存大小 4M (256K x 16)
速度 55ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 48-TFBGA, CSPBGA
供应商器件封装 48-CSP (7.5x8.5)
包装材料 Tray
包装 48TFBGA
定时类型 Asynchronous
密度 4 Mb
典型工作电源电压 3 V
地址总线宽度 18 Bit
I / O线数 16 Bit
端口数 1
字数 256 K
工作温度 -40 to 85 °C
标准包装 Trays
安装 Surface Mount
包装宽度 7.5
PCB 48
地址总线宽度 18
典型工作电源电压 3
欧盟RoHS指令 Compliant
密度 4M
最低工作温度 -40
供应商封装形式 TFBGA
标准包装名称 BGA
最高工作温度 85
每字位数 16
包装长度 8.5
最低工作电源电压 2.7
引脚数 48
最大工作电流 20
包装高度 0.8(Max)
Maximum Access Time 55
最大工作电源电压 3.6
铅形状 Ball
匹配代码 R1LV0416DBG-5SI#B0
Permis.T (A )最大 85°C
单位包 253
标准的提前期 12 weeks
最小起订量 253
U( CC)最大 3.6V
Permis.T ( A)分 -40°C
封装 TRAY
无铅Defin RoHS-conform
U( CC )闵 2.7V
汽车 NO
组织 256Kx16
访问时间 55ns
U( CC ) 3.0V
格式 - 存储器 RAM
供应商设备封装 48-CSP (7.5x8.5)
内存类型 SRAM
存储容量 4M (256K x 16)
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳 48-TFBGA, CSPBGA
接口 Parallel
速度 55ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
地址总线 18 b
工作温度范围 -40C to 85C
包装类型 TFBGA
字长 16 b
同步/异步 Asynchronous
工作温度分类 Industrial
时钟频率 Not Required MHz
建筑 Not Required
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 3 V
工作电源电压(最小值) 2.7 V
工作电源电压(最大值) 3.6 V
访问时间(最大) 55ns
电源电流 20mA
删除 Compliant

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