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规格书 |
![]() R1LV0108E Series |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1 |
格式 - 记忆 | RAM |
Memory 型 | SRAM |
内存大小 | 1M (128K x 8) |
速度 | 70ns |
接口 | Parallel (Byte-wide) |
- 电源电压 | 2.7 V ~ 3.6 V |
操作温度 | -40°C ~ 85°C |
包/盒 | 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) |
供应商器件封装 | 32-TSOP (8x20) |
包装材料 | Tray |
包装 | 32TSOP-I |
定时类型 | Asynchronous |
密度 | 1 Mb |
典型工作电源电压 | 3 V |
地址总线宽度 | 17 Bit |
I / O线数 | 8 Bit |
端口数 | 1 |
字数 | 128 K |
工作温度 | -40 to 85 °C |
标准包装 | Trays |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 18.4 |
PCB | 32 |
地址总线宽度 | 17 |
典型工作电源电压 | 3 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
密度 | 1M |
最低工作温度 | -40 |
供应商封装形式 | TSOP-I |
标准包装名称 | TSOP |
最高工作温度 | 85 |
每字位数 | 8 |
包装长度 | 8 |
最低工作电源电压 | 2.7 |
引脚数 | 32 |
最大工作电流 | 25 |
包装高度 | 1 |
Maximum Access Time | 70 |
封装 | Tray |
最大工作电源电压 | 3.6 |
铅形状 | Gull-wing |
格式 - 存储器 | RAM |
供应商设备封装 | 32-TSOP (8x20) |
内存类型 | SRAM |
存储容量 | 1M (128K x 8) |
电压 - 电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
封装/外壳 | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
接口 | Parallel |
速度 | 70ns |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
地址总线 | 17 b |
工作温度范围 | -40C to 85C |
包装类型 | TSOP-I |
字长 | 8 b |
同步/异步 | Asynchronous |
工作温度分类 | Industrial |
时钟频率 | Not Required MHz |
建筑 | Not Required |
弧度硬化 | No |
工作电源电压(典型值) | 3 V |
工作电源电压(最小值) | 2.7 V |
工作电源电压(最大值) | 3.6 V |
访问时间 | 70ns |
电源电流 | 25mA |
存储容量 | 1M (128K x 8) |
供应商器件封装 | 32-TSOP (8x20) |
存储器类型 | SRAM |
操作温度 | -40°C ~ 85°C |
电压 - 电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
接口 | Parallel |
封装/外壳 | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
速度 | 70ns |
格式 - 存储器 | RAM |
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