规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
2,500 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
55V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
22A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
37 mOhm @ 11A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
23nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
1100pF @ 25V |
功率 - 最大 |
1.2W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 |
TO-252 (MP-3ZK) |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
3TO-252 |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
55 V |
最大连续漏极电流 |
22 A |
RDS -于 |
37@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
典型导通延迟时间 |
9 ns |
典型上升时间 |
6 ns |
典型关闭延迟时间 |
32 ns |
典型下降时间 |
5.4 ns |
工作温度 |
-55 to 175 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
单位包 |
0 |
最小起订量 |
1 |
FET特点 |
Logic Level Gate |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
22A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
2.5V @ 250µA |
封装/外壳 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商设备封装 |
TO-252 (MP-3ZK) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
37 mOhm @ 11A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
1.2W |
漏极至源极电压(Vdss) |
55V |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
1100pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
23nC @ 5V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |