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厂商型号

NP22N055SLE-E1-AY 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 55V 22A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

内部编号

294-NP22N055SLE-E1-AY

生产厂商

renesas electronics

RENESAS

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NP22N055SLE-E1-AY产品详细规格

规格书 NP22N055SLE-E1-AY datasheet 规格书
NP22N055SLE-E1-AY datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 55V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 22A
Rds(最大)@ ID,VGS 37 mOhm @ 11A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 23nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1100pF @ 25V
功率 - 最大 1.2W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252 (MP-3ZK)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3TO-252
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 55 V
最大连续漏极电流 22 A
RDS -于 37@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 9 ns
典型上升时间 6 ns
典型关闭延迟时间 32 ns
典型下降时间 5.4 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 22A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.5V @ 250µA
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备封装 TO-252 (MP-3ZK)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 37 mOhm @ 11A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.2W
漏极至源极电压(Vdss) 55V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1100pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 23nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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