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厂商型号

AOWF11N60 

产品描述

MOSFET N-CH 600V 11A TO262F

内部编号

28-AOWF11N60

#1

数量:895
1+¥8.562
25+¥6.849
100+¥5.993
250+¥5.259
500+¥4.648
1000+¥3.669
2500+¥3.425
5000+¥3.254
10000+¥3.119
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AOWF11N60产品详细规格

规格书 AOWF11N60 datasheet 规格书
AOWF11N60
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 11A
Rds(最大)@ ID,VGS 650 mOhm @ 5.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 37nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1990pF @ 25V
功率 - 最大 27.8W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-262-3 (Straight Leads)
供应商器件封装 TO-262F
包装材料 Tube
动态目录 N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16262?mpart=AOWF11N60&vendor=785&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 11A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.5V @ 250µA
封装/外壳 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商设备封装 TO-262F
其他名称 785-1446-5
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 650 mOhm @ 5.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 27.8W
标准包装 50
漏极至源极电压(Vdss) 600V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1990pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 37nC @ 10V

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