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厂商型号

AOTF12N30 

产品描述

MOSF N CH 300V 11.5A TO220F

内部编号

28-AOTF12N30

#1

数量:500
1+¥8.498
25+¥6.813
100+¥5.962
250+¥5.232
500+¥4.623
1000+¥3.65
2500+¥3.407
5000+¥3.236
10000+¥3.103
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AOTF12N30产品详细规格

规格书 AOTF12N30 datasheet 规格书
AOT12N30/AOTF12N30
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 300V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 11.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 420 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 16nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 790pF @ 25V
功率 - 最大 36W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220F
包装材料 Tube
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 11.5A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.5V @ 250µA
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
供应商设备封装 TO-220F
其他名称 785-1385-5
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 420 mOhm @ 6A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 36W
标准包装 1,000
漏极至源极电压(Vdss) 300V
输入电容(Ciss ) @ VDS 790pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 16nC @ 10V
漏源极电压 (Vdss) 300V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 790pF @ 25V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 420 mOhm @ 6A, 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 16nC @ 10V
FET 功能 Standard
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 11.5A (Tc)
功率 - 最大值 36W

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