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厂商型号

TIP41B 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 6A 80V 65W NPN

内部编号

277-TIP41B

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:1900
1+¥2.3885
25+¥2.2344
100+¥2.0804
500+¥2.0033
1000+¥1.9262
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:740
1+¥4.191
10+¥3.575
100+¥2.6695
500+¥2.0977
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

TIP41B产品详细规格

规格书 TIP41B datasheet 规格书
TIP41(A,B,C),TIP42(A,B,C)
文档 Multiple Devices 30/Jun/2006
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装 50
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 6A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1.5V @ 600mA, 6A
电流 - 集电极截止(最大) 700µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 15 @ 3A, 4V
功率 - 最大 2W
频率转换 3MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
集电极最大直流电流 6
最小直流电流增益 30@300mA@4V|15@3A@4V
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220
最低工作温度 -65
最大功率耗散 2000
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 3(Min)
封装 Rail
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 80
供应商封装形式 TO-220AB
最大集电极发射极电压 80
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 6A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 3MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.5V @ 600mA, 6A
电流 - 集电极截止(最大) 700µA
标准包装 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-220AB
功率 - 最大 2W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 15 @ 3A, 4V
其他名称 TIP41BOS
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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