图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

TIP112 

产品描述

Transistors Darlington 2A 100V Bipolar

内部编号

277-TIP112

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:20064
1+¥2.0804
25+¥1.9262
100+¥1.8492
500+¥1.7722
1000+¥1.6951
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:8840
1+¥3.5079
50+¥3.3402
100+¥3.1068
600+¥2.8443
1350+¥2.5817
最小起订量:1
美国纽约
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#3

数量:7990
1+¥3.9688
250+¥3.6354
500+¥3.3814
600+¥3.0956
1350+¥2.8099
最小起订量:100
阿姆斯特丹
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

TIP112产品详细规格

规格书 TIP112 datasheet 规格书
TIP110-112,115-117
文档 Multiple Devices 19/Jun/2009
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 19/Jun/2009
标准包装 50
晶体管类型 NPN - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 2.5V @ 8mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) 2mA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 1000 @ 1A, 4V
功率 - 最大 2W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 2.5V @ 8mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) 2mA
标准包装 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 TO-220AB
封装 Tube
功率 - 最大 2W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 1000 @ 1A, 4V
其他名称 TIP112OS

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