图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 9.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 5.5 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 19.5nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2354pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 870mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
| 供应商器件封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SO-FL |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 24 A |
| RDS -于 | 5.5@11.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 13.4|8.1 ns |
| 典型上升时间 | 22.5|19.6 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 16|23.2 ns |
| 典型下降时间 | 5.3|3.4 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 5.8 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 5700 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 5.5@11.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SO-FL |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 4.9 |
| 引脚数 | 8 |
| 包装高度 | 1.05(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 24 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Flat |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 24 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 5.5 mOhms |
| 功率耗散 | 5.7 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SO-8 FL |
| 上升时间 | 22.5 ns, 19.6 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 5.3 ns, 3.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 24 A |
| 长度 | 4.9 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.5 mOhms |
| 身高 | 1.05 mm |
| Pd - Power Dissipation | 5.7 W |
| 技术 | Si |
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