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规格书 |
NTD65N03R |
文档 |
Multiple Devices 11/Jul/2008 |
产品更改通知 | LTB Notification |
标准包装 | 75 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 25V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 9.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8.4 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 16nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1400pF @ 20V |
功率 - 最大 | 1.3W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
包装材料 | Tube |
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