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规格书 |
![]() NTD32N06L |
文档 |
Multiple Devices 03/Apr/2007 |
产品更改通知 | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
标准包装 | 75 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 32A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 28 mOhm @ 16A, 5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 50nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1700pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.5W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 32A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商设备封装 | I-Pak |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 28 mOhm @ 16A, 5V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.5W |
标准包装 | 75 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1700pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 50nC @ 5V |
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