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| 规格书 |
 NTB,NTP60N06L |
| 文档 |
Multiple Devices 30/Jun/2006 |
| 产品更改通知 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 60A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 16 mOhm @ 30A, 5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 65nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3075pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.4W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tube |
| Max. Gate-Source-Spannung | ±15 |
| VERPACKUNG | Rail |
| 包装宽度 | 9.65(Max) |
| PCB | 2 |
| Max. Betriebstemperatur | 175 |
| Max. Leistungsaufnahme | 150000 |
| Min. Betriebstemperatur | -55 |
| Kanalart | N |
| Leitungsform | Gull-wing |
| Lieferantenverpackung | D2PAK |
| Max. Dauer-Drain-Strom | 60 |
| Anzahl冯Elementen Pro晶片 | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung | 60 |
| 包装长度 | 10.29(Max) |
| 类别 | Power MOSFET |
| 包装高度 | 4.83(Max) |
| Stiftanzahl | 3 |
| 标准Verpackungsname | D2PAK |
| Befestigung | Surface Mount |
| 标签 | Tab |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Max. Drain-Source-Widerstand | 16@5V |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 60A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 16 mOhm @ 30A, 5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.4W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3075pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 65nC @ 5V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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