1. MUN5335DW1T2G
  2. MUN5335DW1T2G
  3. MUN5335DW1T2G

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MUN5335DW1T2G 

产品描述

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R

内部编号

277-MUN5335DW1T2G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:12620
1+¥1.7094
10+¥1.1898
100+¥0.4992
1000+¥0.335
3000+¥0.2667
9000+¥0.2256
24000+¥0.212
45000+¥0.1983
99000+¥0.1709
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

#2

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MUN5335DW1T2G产品详细规格

规格书 MUN5335DW1, NSBC123JPDxx
MUN5335DW1T2G datasheet 规格书
文档 Copper Wire 08/Jun/2009
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Wire Change 08/Jun/2009
标准包装 3,000
晶体管类型 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 2.2k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 47k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 80 @ 5mA, 10V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率转换 -
功率 - 最大 250mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装 SC-88
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 6SOT-363
配置 Dual
类型 NPN|PNP
最大集电极发射极电压 50 V
峰值直流集电极电流 100 mA
最小直流电流增益 80@5mA@10V
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最低工作温度 -55
最大集电极发射极饱和电压 0.25@0.3mA@10mA
包装宽度 1.25
PCB 6
最大功率耗散 385
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Continuous DC Collector Current 100
最大集电极发射极电压 50
供应商封装形式 SC-88
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 2
引脚数 6
包装高度 0.9
典型输入电阻 2.2
封装 Tape and Reel
典型电阻器比率 0.047
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 2.2k
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 300µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 47k
功率 - 最大 250mW
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 80 @ 5mA, 10V
其他名称 MUN5335DW1T2GOS
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
产品种类 Transistors Switching - Resistor Biased
晶体管极性 NPN/PNP
典型输入电阻 2.2 KOhms
直流集电极/增益hfe最小值 80 at 5 mA at 10 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
功率耗散 187 mW
最低工作温度 - 55 C
连续集电极电流 0.1 A
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
集电极 - 发射极电压 50 V
包装类型 SC-88
直流电流增益(最小值) 80
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
直流电流增益 80
品牌 ON Semiconductor
直流电流增益hFE最大值 80 at 5 mA at 10 V
通道数 2 Channel
长度 2 mm
系列 MUN5335DW1
身高 0.9 mm
Pd - Power Dissipation 187 mW

MUN5335DW1T2G系列产品

MUN5335DW1T2G相关搜索

订购MUN5335DW1T2G.产品描述:Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R. 生产商: on semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-62155488
    010-82149488
    010-82149008
    010-82149921
    010-57196138
  • 深圳
  • 0755-83975736
    0755-82511472
    0755-83997440
    0755-83247615
  • 苏州
  • 0512-67687578
    0512-67684200
    0512-68796728
    0512-67683728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com