规格书 |
MPSA05(06,55,56) |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 250mV @ 10mA, 100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 100nA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 100 @ 100mA, 1V |
功率 - 最大 | 625mW |
频率转换 | 100MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3TO-92 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 80 V |
集电极最大直流电流 | 0.5 A |
最小直流电流增益 | 100@10mA@1V|100@100mA@1V |
最大工作频率 | 100(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.25@10mA@100mA V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 625 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Tape & Reel |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
RoHS | RoHS Compliant |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
发射极 - 基极电压VEBO | 4 V |
集电极 - 发射极饱和电压 | 80 V |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
直流集电极/增益hfe最小值 | 100 at 10 mA at 1 V |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-92-3 (TO-226) |
连续集电极电流 | 0.5 A |
最低工作温度 | - 55 C |
封装 | Reel |
工厂包装数量 | 2000 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 500mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 100MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 250mV @ 10mA, 100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 100nA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 625mW |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 100 @ 100mA, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | MPSA06RLRAGOSCT |
集电极电流( DC)(最大值) | 0.5 A |
集电极 - 基极电压 | 80 V |
集电极 - 发射极电压 | 80 V |
发射极 - 基极电压 | 4 V |
频率(最大) | 100 MHz |
功率耗散 | 0.625 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-92 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 100 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 100 MHz |
集电极电流(DC ) | 0.5 A |
直流电流增益 | 100 |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :80V |
Transition Frequency ft | :100MHz |
功耗 | :625mW |
DC Collector Current | :500mA |
DC Current Gain hFE | :100 |
No. of Pins | :3 |
Weight (kg) | 0.002 |
Tariff No. | 85411000 |
associated | MPSA06 |
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