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| 规格书 |
 MMBTA(55,56)LT1 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 10 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 250mV @ 10mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 100mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 频率转换 | 50MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装材料 | Cut Tape (CT) |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 |
| 最小直流电流增益 | 100@10mA@1V|100@100mA@1V |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 最大基地发射极电压 | 4 |
| Maximum Transition Frequency | 50(Min) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 80 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 50MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 10mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 标准包装 | 10 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 100mA, 1V |
| 其他名称 | MMBTA56LT1OSCT |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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