#1 |
数量:2940 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:2387 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:2534 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
MJE371 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | - |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 40 @ 1A, 1V |
功率 - 最大 | 40W |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
供应商器件封装 | TO225AA |
包装材料 | Bulk |
包装 | 3TO-225 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 40 V |
集电极最大直流电流 | 4 A |
最小直流电流增益 | 40@1A@1V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 4000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Bulk |
标准包装 | Boxed |
集电极最大直流电流 | 4 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -65 |
最大功率耗散 | 4000 |
最大基地发射极电压 | 4 |
封装 | Bulk |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 40 |
供应商封装形式 | TO-225 |
最大集电极发射极电压 | 40 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 4A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
供应商设备封装 | TO225AA |
功率 - 最大 | 40W |
封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 40 @ 1A, 1V |
其他名称 | MJE371GOS |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 500 |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 4 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 40 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
最低工作温度 | - 65 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 4 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 4 A |
集电极 - 基极电压 | 40 V |
集电极 - 发射极电压 | 40 V |
发射极 - 基极电压 | 4 V |
功率耗散 | 4 W |
工作温度范围 | -65C to 150C |
包装类型 | TO-225 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 40 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
删除 | Compliant |
集电极电流(DC ) | 4 A |
直流电流增益 | 40 |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :40V |
功耗 | :40W |
DC Collector Current | :4A |
DC Current Gain hFE | :40 |
Operating Temperature Min | :-65°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-225 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Current Ic Continuous a Max | :1A |
Hfe Min | :40 |
端接类型 | :Through Hole |
Weight (kg) | 0.31 |
Tariff No. | 85331000 |
associated | NTE185 MJE371G |
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