图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MJD2955, MJD3055 |
| 文档 |
Multiple Devices 30/Mar/2012 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | 1Q2012 Discontinuation 30/Mar/2012 |
| 标准包装 | 75 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 10A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 8V @ 3.3A, 10A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 20 @ 4A, 4V |
| 功率 - 最大 | 1.75W |
| 频率转换 | 2MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 包装材料 | Tube |
| 集电极最大直流电流 | 10 |
| 最小直流电流增益 | 20@4A@4V|5@10A@4V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | IPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 1750 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 2(Min) |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 70 |
| 供应商封装形式 | DPAK-3 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 10A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 2MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 8V @ 3.3A, 10A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50µA |
| 标准包装 | 75 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 功率 - 最大 | 1.75W |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 4A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.1 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 20 at 4 A at 4 V |
| 集电极最大直流电流 | 10 A |
| 增益带宽产品fT | 2 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 70 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 10 A |
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