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#1 |
数量:9897 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:9897 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:170 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 MBR20(80,90,100)CT |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| 电压 - 正向（Vf）（最大）@ | 850mV @ 10A |
| 电流 - 反向漏VR | 100µA @ 90V |
| 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） | 10A |
| 电压 - 直流反向（VR）（最大值） | 90V |
| 反向恢复时间（trr） | - |
| 二极管型 | Schottky |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| 二极管配置 | 1 Pair Common Cathode |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 类型 | Schottky Diode |
| 配置 | Dual Common Cathode |
| 峰值反向重复电压 | 90 V |
| 峰值平均正向电流 | 10 A |
| 峰值反向电流 | 100 uA |
| 峰值正向电压 | 0.95@20A V |
| 峰值不重复浪涌电流 | 150 A |
| 工作温度 | -65 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 最大连续正向电流 | 10 |
| 工作结温度 | -65 to 175 |
| 峰值反向重复电压 | 90 |
| 封装 | Rail |
| 峰值反向电流 | 100 |
| 峰值不重复浪涌电流 | 150 |
| 峰值正向电压 | 0.95@20A |
| 最低工作温度 | -65 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 平均整流（Io ） （每个二极管） | 10A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 850mV @ 10A |
| 电压 - （ Vr）（最大） | 90V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 二极管类型 | Schottky |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 100µA @ 90V |
| 二极管配置 | 1 Pair Common Cathode |
| 其他名称 | MBR2090CTGOS |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | Schottky Diodes & Rectifiers |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
| 正向连续电流 | 10 A |
| 最大反向漏泄电流 | 100 uA |
| 正向电压下降 | 0.95 V at 20 A |
| 峰值反向电压 | 90 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 最大浪涌电流 | 150 A |
| Ir - Reverse Current | 100 uA |
| 端接类型 | Through Hole |
| 宽度 | 4.82 mm |
| Ifsm - Forward Surge Current | 150 A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 90 V |
| If - Forward Current | 10 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Vf - Forward Voltage | 0.95 V at 20 A |
| 长度 | 10.28 mm |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 身高 | 9.28 mm |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 系列 | MBR2090CT |
| 技术 | Si |
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