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厂商型号

EMG2DXV5T1G 

产品描述

Transistors Switching - Resistor Biased 50V Dual BRT NPN

内部编号

277-EMG2DXV5T1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:12000
1+¥0.3852
25+¥0.3852
100+¥0.3852
500+¥0.3852
1000+¥0.3082
最小起订金额:¥₩600
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#2

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#3

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EMG2DXV5T1G产品详细规格

规格书 EMG2DXV5T1G datasheet 规格书
产品更改通知 Product Discontinuation 02/Jan/2007
标准包装 4,000
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 47k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 47k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 80 @ 5mA, 10V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率转换 -
功率 - 最大 230mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-553
供应商器件封装 SOT-553
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 SOT-553
标准包装名称 SOT-553
最小直流电流增益 80@5mA@10V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
典型输入电阻 47
引脚数 5
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极饱和电压 0.25@0.3mA@10mA
最大功率耗散 338
Maximum Continuous DC Collector Current 100
最大集电极发射极电压 50
配置 Dual Common Emitter
类型 NPN
典型电阻器比率 1
铅形状 Flat

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