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厂商型号

BSS138LT1 

产品描述

MOSFET 50V 200mA N-Channel

内部编号

277-BSS138LT1

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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#2

数量:1325
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BSS138LT1产品详细规格

规格书 BSS138LT1 datasheet 规格书
BSS138LT1 Datasheet
文档 Copper Wire 26/May/2009
Multiple Devices 21/Jan/2010
产品更改通知 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009
标准包装 10
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 50V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 200mA
Rds(最大)@ ID,VGS 3.5 Ohm @ 200mA, 5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 50pF @ 25V
功率 - 最大 225mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Cut Tape (CT);;其他的名称;
FET特点 Logic Level Gate
封装 Cut Tape (CT)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 200mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 1mA
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
其他名称 BSS138LT1OSCT
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 3.5 Ohm @ 200mA, 5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 225mW
标准包装 10
漏极至源极电压(Vdss) 50V
输入电容(Ciss ) @ VDS 50pF @ 25V

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