1. BD676AG
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厂商型号

BD676AG 

产品描述

Trans Darlington PNP 45V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk

内部编号

277-BD676AG

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:1500
1+¥2.3885
25+¥2.2344
100+¥2.0804
500+¥2.0033
1000+¥1.9262
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:1500
1+¥2.3885
25+¥2.2344
100+¥2.0804
500+¥2.0033
1000+¥1.9262
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:2000
1+¥3.8291
10+¥3.2206
100+¥2.0787
1000+¥1.6616
2500+¥1.4017
10000+¥1.347
25000+¥1.2923
50000+¥1.2445
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BD676AG产品详细规格

规格书 BD676AG datasheet 规格书
BD676AG datasheet 规格书
BD676(A), 78(A), 80(A), 82(T)
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
晶体管类型 PNP - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 2.8V @ 40mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) 500µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 750 @ 2A, 3V
功率 - 最大 40W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 TO225AA
包装材料 Bulk
包装 3TO-225
配置 Single
类型 PNP
最大集电极发射极电压 45 V
峰值直流集电极电流 4 A
最小直流电流增益 750@2A@3V
最大集电极发射极饱和电压 2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA@2A V
安装 Through Hole
标准包装 Boxed
标准包装 Bulk
供应商封装形式 TO-225
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极发射极电压 45
最大基地发射极电压 5
封装 Bulk
最大集电极发射极饱和电压 2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA@2A
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 45
Maximum Continuous DC Collector Current 4
最低工作温度 -55
铅形状 Through Hole
引脚数 3
最大功率耗散 40000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 4A
晶体管类型 PNP - Darlington
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 2.8V @ 40mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) 500µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 TO225AA
功率 - 最大 40W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 750 @ 2A, 3V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 500
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 750
集电极最大直流电流 4 A
最大集电极截止电流 200 uA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 45 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 45 V
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 4 A
集电极 - 基极电压 45 V
集电极 - 发射极电压 45 V
集电极 - 发射极饱和电压 2.5 V
发射极 - 基极电压 5 V
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-225
极性 PNP
元件数 1
直流电流增益 750
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 4 A
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 2.8V @ 40mA, 2A
晶体管类型 PNP - Darlington
电流 - 集电极截止(最大值) 500µA
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 750 @ 2A, 3V
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
功率 - 最大值 40W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 4A
电压 - 集射极击穿(最大值) 45V
直流电流增益hFE最大值 750 at 2 A at 3 V
系列 BD676A
品牌 ON Semiconductor
身高 11.04 mm
宽度 2.66 mm
长度 7.74 mm

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