#1 |
数量:1500 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:1500 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:2000 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
BD676(A), 78(A), 80(A), 82(T) |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
晶体管类型 | PNP - Darlington |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 2.8V @ 40mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) | 500µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 750 @ 2A, 3V |
功率 - 最大 | 40W |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
供应商器件封装 | TO225AA |
包装材料 | Bulk |
包装 | 3TO-225 |
配置 | Single |
类型 | PNP |
最大集电极发射极电压 | 45 V |
峰值直流集电极电流 | 4 A |
最小直流电流增益 | 750@2A@3V |
最大集电极发射极饱和电压 | 2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA@2A V |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Boxed |
标准包装 | Bulk |
供应商封装形式 | TO-225 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最大集电极发射极电压 | 45 |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Bulk |
最大集电极发射极饱和电压 | 2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA@2A |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 45 |
Maximum Continuous DC Collector Current | 4 |
最低工作温度 | -55 |
铅形状 | Through Hole |
引脚数 | 3 |
最大功率耗散 | 40000 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 4A |
晶体管类型 | PNP - Darlington |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 2.8V @ 40mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) | 500µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
供应商设备封装 | TO225AA |
功率 - 最大 | 40W |
封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 750 @ 2A, 3V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 500 |
产品种类 | Transistors Darlington |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 750 |
集电极最大直流电流 | 4 A |
最大集电极截止电流 | 200 uA |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 45 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | 45 V |
最低工作温度 | - 55 C |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
集电极电流( DC)(最大值) | 4 A |
集电极 - 基极电压 | 45 V |
集电极 - 发射极电压 | 45 V |
集电极 - 发射极饱和电压 | 2.5 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-225 |
极性 | PNP |
元件数 | 1 |
直流电流增益 | 750 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
集电极电流(DC ) | 4 A |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 2.8V @ 40mA, 2A |
晶体管类型 | PNP - Darlington |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500µA |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 750 @ 2A, 3V |
封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
功率 - 最大值 | 40W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
直流电流增益hFE最大值 | 750 at 2 A at 3 V |
系列 | BD676A |
品牌 | ON Semiconductor |
身高 | 11.04 mm |
宽度 | 2.66 mm |
长度 | 7.74 mm |
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