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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BC856ALT3 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 100mA 80V PNP

内部编号

277-BC856ALT3

生产厂商

ON Semiconductor

ONSEMI

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税
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BC856ALT3产品详细规格

规格书 BC856ALT3 datasheet 规格书
BC85xxLT1 Series
文档 Multiple Devices 30/Jun/2006
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流（Ic）（最大） 100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 65V
Vce饱和（最大）@ IB，IC 650mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大） -
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE 125 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 225mW
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极（ Ic）（最大） 100mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 650mV @ 5mA, 100mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 65V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 225mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 125 @ 2mA, 5V

BC856ALT3系列产品

型号厂家产品描述
BC856ALT3G ON Semiconductor Transistors Bipolar - BJT 100mA 80V PNP
BC856ALT3G rochester electronics
BC856ALT1 ON Semiconductor Transistors Bipolar - BJT 100mA 80V PNP
BC856ALT1 rochester electronics
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