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厂商型号

BC547AZL1G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 100mA 50V NPN

内部编号

277-BC547AZL1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:569
1+¥0.3852
25+¥0.3852
100+¥0.3852
500+¥0.3852
1000+¥0.3082
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

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25+¥0.3852
100+¥0.3852
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BC547AZL1G产品详细规格

规格书 BC547AZL1G datasheet 规格书
BC546B, 547A(B,C), 548B(C) Datasheet
BC547AZL1G datasheet 规格书
文档 Multiple Devices 01/Oct/2008
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Discontinuation 01/Oct/2008
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) 15nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 110 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 625mW
频率转换 300MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Box (TB)
集电极最大直流电流 0.1
最小直流电流增益 110@2mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 300(Typ)
封装 Ammo
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 50
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 45
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) 15nA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 110 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2000
集电极 - 发射极饱和电压 0.3 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
最大功率耗散 625 mW
直流集电极/增益hfe最小值 200 at 2 mA at 5 V
集电极最大直流电流 0.1 A
增益带宽产品fT 300 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 45 V
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 50 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.1 A

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