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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BUL45G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 5A 400V 75W NPN

内部编号

277-BUL45G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:9
1+¥12.8857
10+¥11.9408
50+¥10.9958
最小起订量:1
荷兰阿姆斯特丹
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BUL45G产品详细规格

规格书 BUL45G datasheet 规格书
BUL45
BUL45G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 400V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 400mV @ 400mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) 100µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 14 @ 300mA, 5V
功率 - 最大 75W
频率转换 12MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
集电极最大直流电流 5
最小直流电流增益 14@300mA@5V|7@2A@1V|10@10mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220
最低工作温度 -65
最大功率耗散 75000
最大基地发射极电压 9
Maximum Transition Frequency 12(Typ)
封装 Rail
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 700
供应商封装形式 TO-220AB
最大集电极发射极电压 400
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 5A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 12MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 400mV @ 400mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) 100µA
标准包装 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 400V
供应商设备封装 TO-220AB
功率 - 最大 75W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 14 @ 300mA, 5V
其他名称 BUL45GOS
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 5 A
集电极 - 基极电压 700 V
集电极 - 发射极电压 400 V
发射极 - 基极电压 9 V
频率(最大) 12 MHz
功率耗散 75 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 TO-220AB
元件数 1
直流电流增益(最小值) 14
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN
频率 12 MHz
直流电流增益 14
集电极电流(DC ) 5 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :400V
Transition Frequency ft :12MHz
功耗 :75W
DC Collector Current :5A
DC Current Gain hFE :34
No. of Pins :3
MSL :-
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900
associated TP0006
273-AB

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