规格书 |
BUL45 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 5A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 400mV @ 400mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) | 100µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 14 @ 300mA, 5V |
功率 - 最大 | 75W |
频率转换 | 12MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
集电极最大直流电流 | 5 |
最小直流电流增益 | 14@300mA@5V|7@2A@1V|10@10mA@5V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -65 |
最大功率耗散 | 75000 |
最大基地发射极电压 | 9 |
Maximum Transition Frequency | 12(Typ) |
封装 | Rail |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 700 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大集电极发射极电压 | 400 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 5A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 12MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 400mV @ 400mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) | 100µA |
标准包装 | 50 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
供应商设备封装 | TO-220AB |
功率 - 最大 | 75W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 14 @ 300mA, 5V |
其他名称 | BUL45GOS |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
集电极电流( DC)(最大值) | 5 A |
集电极 - 基极电压 | 700 V |
集电极 - 发射极电压 | 400 V |
发射极 - 基极电压 | 9 V |
频率(最大) | 12 MHz |
功率耗散 | 75 W |
安装 | Through Hole |
工作温度范围 | -65C to 150C |
包装类型 | TO-220AB |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 14 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
晶体管极性 | NPN |
频率 | 12 MHz |
直流电流增益 | 14 |
集电极电流(DC ) | 5 A |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :400V |
Transition Frequency ft | :12MHz |
功耗 | :75W |
DC Collector Current | :5A |
DC Current Gain hFE | :34 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
Weight (kg) | 0.002 |
Tariff No. | 85412900 |
associated | TP0006 273-AB |
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