规格书 |
![]() BUL45D2 |
文档 |
Multiple Devices 11/Feb/2009 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
产品更改通知 | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 5A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 500mV @ 400mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) | 100µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 10 @ 2A, 1V |
功率 - 最大 | 75W |
频率转换 | 13MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 5A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 13MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 500mV @ 400mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) | 100µA |
标准包装 | 50 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
供应商设备封装 | TO-220AB |
封装 | Tube |
功率 - 最大 | 75W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 10 @ 2A, 1V |
其他名称 | BUL45D2OS |
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