图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BSP52T1,T3 |
| 文档 |
Wire Bond 01/Dec/2010 Datasheet MSL Updated 2/April/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
| 标准包装 | 10 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.3V @ 500µA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 2000 @ 500mA, 10V |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 包装材料 | Cut Tape (CT) |
| 包装 | 4SOT-223 |
| 配置 | Single Dual Collector |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 峰值直流集电极电流 | 1 A |
| 最小直流电流增益 | 1000@150mA@10V|2000@500mA@10V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.3@0.5mA@500mA V |
| 最大集电极基极电压 | 90 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大的基射极饱和电压 | 1.9@0.5mA@500mA |
| 标准包装名称 | SOT-223 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 1 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.3@0.5mA@500mA |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 90 |
| 供应商封装形式 | SOT-223 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 引脚数 | 4 |
| 最大功率耗散 | 1250 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.3V @ 500µA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 2000 @ 500mA, 10V |
| 其他名称 | BSP52T1GOSTR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 外形尺寸 | 6.5 x 3.5 x 1.57mm |
| 身高 | 1.57mm |
| 长度 | 6.5mm |
| 最大的基射极饱和电压 | 1.9 V |
| 最大连续集电极电流 | 1 A |
| 最大基地发射极电压 | 5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 包装类型 | SOT-223 |
| 宽度 | 3.5mm |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 1000, 2000 |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 0.8 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 90 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 1 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 1 A |
| 集电极 - 基极电压 | 90 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.3 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 1.9 V |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益 | 1000 |
| 集电极电流（DC ） | 1 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :80V |
| 功耗 | :800mW |
| DC Collector Current | :1A |
| DC Current Gain hFE | :1000 |
| Operating Temperature Min | :-65°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-223 |
| No. of Pins | :4 |
| MSL | :MSL 2 - 1 year |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Weight (kg) | 0.00012 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Gain | 2000 |
| Current,Output | 1A |
| PackageType | SOT-223 |
| PowerDissipation | 0.8W |
| PrimaryType | Si |
| Resistance,Thermal,JunctiontoAmbient | 156°C/W |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 1.3V |
| Voltage,Input | 5V |
| Voltage,Output | 80V |
| 案例 | SOT223 |
| Transistor type | NPN |
| 极化 | bipolar |
| Multiplicity | 5 |
| Collector-emitter voltage | 80V |
| Gross weight | 0.2 g |
| Collective package [pcs] | 1000 |
| spg | 1000 |
| associated | BSP52T1G |
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