fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4SOT-223 |
| 配置 | Single Dual Collector |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 峰值直流集电极电流 | 0.8 A |
| 最小直流电流增益 | 1000@150mA@10V|2000@500mA@10V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.3@0.5mA@500mA V |
| 最大集电极基极电压 | 90 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.9@0.5mA@500mA |
| 标准包装名称 | SOT-223 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 0.8 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.3@0.5mA@500mA |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 90 |
| 供应商封装形式 | SOT-223 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 引脚数 | 4 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 800mA |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.3V @ 500µA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | SOT-223-4 |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 2000 @ 500mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSP52CT |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 系列 | BSP52 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 1000 |
| 集电极最大直流电流 | 0.8 A |
| 最大集电极截止电流 | 10 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 单位重量 | 0.006632 oz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 90 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.8 A |
| 集电极 - 基极电压 | 90 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.3 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-223 |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 1.9 V |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益 | 1000 |
| 集电极电流（DC ） | 0.8 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :80V |
| Transition Frequency ft | :200MHz |
| 功耗 | :1W |
| DC Collector Current | :800mA |
| DC Current Gain hFE | :2000 |
| No. of Pins | :4 |
| Weight (kg) | 0.0022 |
| Tariff No. | 85412100 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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