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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

2SA1162GT1 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 150mA 50V PNP

内部编号

277-2SA1162GT1

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

 数量:167980
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:￥￦600
新加坡
当天发货，5-8个工作日送达.
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#2

 数量:167980
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
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2SA1162GT1产品详细规格

规格书 2SA1162GT1 datasheet 规格书
2SA1162GT1,YT1
文档 Multiple Devices 30/Jun/2006
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流（Ic）（最大） 150mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 50V
Vce饱和（最大）@ IB，IC 300mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大） 100nA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE 200 @ 2mA, 6V
功率 - 最大 200mW
频率转换 80MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SC-59
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极（ Ic）（最大） 150mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 80MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 300mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大） 100nA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 50V
供应商设备封装 SC-59
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 200mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 200 @ 2mA, 6V

2SA1162GT1系列产品

型号厂家产品描述
2SA1162-GR(T5L,F,T Toshiba Transistors Bipolar - BJT INCORRECT MOUSER P/N
2SA1162-GR(T5L,M) Toshiba Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin S-Mini T/R
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2SA1162GRTE85L,F toshiba Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin S-Mini T/R
2SA1162GRTE85LF toshiba Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin S-Mini T/R
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