2N5457G

产品描述

JFET 25V 10mA

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规格书	2N5457, 5458
文档	Multiple Devices 02/Jan/2007
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知	Product Discontinuation 02/Jan/2007
标准包装	1,000
电流 - 漏（IDSS），VDS（VGS = 0）	1mA @ 15V
漏极至源极电压（VDSS）	25V
漏电流（ID） - 最大	-
FET 型	N-Channel
- 击穿电压（V（BR）的GSS）	25V
- 截止电压（VGS的关闭）@ ID	500mV @ 10nA
输入电容（Ciss）@ Vds的	7pF @ 15V
电阻 - RDS（ON）	-
安装类型	Through Hole
包装材料	Bulk
包/盒	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装	TO-92-3
功率 - 最大	310mW
供应商封装形式	TO-92
最大门源电压	-25
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	135
配置	Single
标准包装名称	TO-92
渠道类型	N
封装	Box
最大功率耗散	310
最大漏极栅极电压	25
最低工作温度	-65
最大漏源电压	25
引脚数	3
铅形状	Through Hole
电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ）	25V
安装类型	Through Hole
电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ）	1mA @ 15V
供应商设备封装	TO-92-3
电压 - 切断（VGS关）@ Id	500mV @ 10nA
其他名称	2N5457GOS
FET型	N-Channel
功率 - 最大	310mW
标准包装	1,000
封装/外壳	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
漏极至源极电压（Vdss）	25V
输入电容（Ciss ） @ VDS	7pF @ 15V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
2N5457	Central Semiconductor	JFET N-Ch/AMP
2N5457	Fairchild Semiconductor	JFET N-Channel Transistor General Purpose
2N5457	ON Semiconductor	JFET 25V 10mA
2N5457_D26Z	Fairchild Semiconductor	JFET N-Channel Transistor General Purpose
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