2N3055H

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 15A 60V 115W NPN

内部编号

生产厂商

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮

全场免运费 /报价不含任何销售税

支付方式

文档	Multiple Devices 30/Jun/2006
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知	Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装	100
晶体管类型	NPN
- 集电极电流（Ic）（最大）	15A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	60V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	3V @ 3.3A, 10A
电流 - 集电极截止（最大）	700µA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	20 @ 4A, 4V
功率 - 最大	115W
频率转换	2.5MHz
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-204AA, TO-3
供应商器件封装	TO-3
包装材料	Tray
集电极最大直流电流	15
最小直流电流增益	20@4A@4V\|5@10A@4V
最高工作温度	200
标准包装名称	TO-3
最低工作温度	-65
最大功率耗散	115000
最大基地发射极电压	7
Maximum Transition Frequency	2.5(Min)
封装	Tray
每个芯片的元件数	1
最大集电极基极电压	100
供应商封装形式	TO-204
最大集电极发射极电压	60
类型	NPN
引脚数	3
铅形状	Through Hole
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	15A
晶体管类型	NPN
安装类型	Through Hole
频率 - 转换	2.5MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	3V @ 3.3A, 10A
电流 - 集电极截止（最大）	700µA
标准包装	100
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	60V
供应商设备封装	TO-3
功率 - 最大	115W
封装/外壳	TO-204AA, TO-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	20 @ 4A, 4V
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant

型号	厂家	产品描述
2N3055HG	ON Semiconductor	Transistors Bipolar - BJT 15A 60V 115W NPN
2N3055	microsemi	Trans GP BJT NPN 70V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N3055	ON Semiconductor	Transistors Bipolar - BJT BIP T03 NPN 15A 60V
2N3055	stmicroelectronics	Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
2N3055A	ON Semiconductor	Transistors Bipolar - BJT 15A 60V 115W NPN
2N3055AG	on semiconductor	Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
2N3055G	on semiconductor	Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
2N3055JANTX	microsemi	Trans GP BJT NPN 70V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3

2N3055H相关搜索

咨询QQ

综合类：

热线电话