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  2. NAND01GW3B2CZA6F

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NAND01GW3B2CZA6F 

产品描述

NAND Flash Parallel 3V/3.3V 1Gbit 128M x 8bit 25us 63-Pin VFBGA T/R

内部编号

259-NAND01GW3B2CZA6F

生产厂商

Micron Technology

micron

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式

NAND01GW3B2CZA6F产品详细规格

接口类型 Parallel
定时类型 Asynchronous
地址总线宽度 28
典型工作电源电压 3|3.3
欧盟RoHS指令 Compliant
字数 128M
最低工作温度 -40
电池类型 NAND
供应商封装形式 VFBGA
标准包装名称 BGA
最高工作温度 85
每字位数 8
建筑 Sectored
引导块 No
最低工作电源电压 2.7
引脚数 63
块组织 Symmetrical
最大工作电流 30
最大随机存取时间 25000
封装 Tape and Reel
最大工作电源电压 3.6
密度 1G
铅形状 Ball

NAND01GW3B2CZA6F系列产品

型号厂家产品描述
NAND01GW3B2CZA6E Micron Technology Inc IC FLASH 1GBIT 63VFBGA
NAND01GW3B2AE06 micron NAND
NAND01GW3B2AE06 STMicroelectronics Flash NAND & S.MEDIA FLASH
NAND01GW3B2AN6 micron NAND Flash Parallel 3V/3.3V 1Gbit 128M x 8bit 25us 48-Pin TSOP Tray
NAND01GW3B2AN6 STMicroelectronics Flash NAND & S.MEDIA FLASH
NAND01GW3B2AN6E STMicroelectronics Flash 2.7-3.6V 1G (128Mx8)
NAND01GW3B2AN6F STMicroelectronics Flash NAND 1 GB
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