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厂商型号

MT9VDDT6472HG-335F2 

产品描述

DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray

内部编号

259-MT9VDDT6472HG-335F2

生产厂商

Micron Technology

MICRON

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

MT9VDDT6472HG-335F2产品详细规格

规格书 MT9VDDT6472HG-335F2 datasheet 规格书
MT9VDDTyyyyH
安装 Socket
模块类型 200SODIMM
子类别 DDR SDRAM
主要类别 DRAM Module
包装宽度 3.8(Max)
组织 64Mx72
PCB 200
筛选等级 Commercial
典型工作电源电压 2.5
总密度 512Mbyte
最低工作温度 0
供应商封装形式 SODIMM
标准包装名称 DIMM
最高工作温度 70
最大时钟频率 333
数据总线宽度 72
每个模块的芯片数量 9
芯片密度 512M
包装长度 67.72(Max)
最低工作电源电压 2.3
引脚数 200
最大工作电流 1575
包装高度 35.69(Max)
封装 Tray
最大工作电源电压 2.7
铅形状 No Lead
单位包 0
最小起订量 1
内存类型 DDR SDRAM
存储容量 512MB
标准包装 100
速度 333MT/s
封装/外壳 200-SODIMM
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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