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厂商型号

MT45W1MW16BDGB-708 AT TR 

产品描述

PSRAM Async 1 16M-Bit 1M x 16 70ns 54-Pin VFBGA T/R

内部编号

259-MT45W1MW16BDGB-708-AT-TR

生产厂商

micron

Micron Technology Inc

#1

数量:2000
1000+¥18.569
2000+¥17.641
最小起订量:1000
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:520
1+¥38.174
10+¥34.222
25+¥30.771
100+¥27.986
250+¥25.334
500+¥22.681
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

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原厂背书质量,全面技术支持

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MT45W1MW16BDGB-708 AT TR产品详细规格

规格书 MT45W1MW16BDGB-708 AT TR datasheet 规格书
MT45W1MW16BDGB-708 AT TR datasheet 规格书
文档 P23Z thru P26Z Series 03/May/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
格式 - 记忆 RAM
Memory 型 PSRAM (Page)
内存大小 16M (1M x 16)
速度 70ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 1.7 V ~ 1.95 V
操作温度 -30°C ~ 85°C
包/盒 54-VFBGA
供应商器件封装 54-VFBGA (6x8)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 54VFBGA
定时类型 Asynchronous
密度 16 Mb
典型工作电源电压 1.8 V
地址总线宽度 20 Bit
每字位数 16 Bit
端口数 1
字数 1 M
标准包装 Tape & Reel
单位包 0
最小起订量 1
封装 Tape & Reel (TR)
格式 - 存储器 RAM
供应商设备封装 54-VFBGA (6x8)
内存类型 PSRAM (Page)
工作温度 -30°C ~ 85°C
存储容量 16M (1M x 16)
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V
接口 Parallel
速度 70ns
其他名称 557-1419-2
封装/外壳 54-VFBGA
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
封装/外壳 54-VFBGA

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