图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MT29F4G16ABADAH4-IT:D 

产品描述

SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4Gbit 256M x 16bit 25ns 63-Pin VFBGA

内部编号

259-MT29F4G16ABADAH4-IT-D

生产厂商

micron

micron

#1

数量:133
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MT29F4G16ABADAH4-IT:D产品详细规格

文档 Fab Site Transistion 19/Nov/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
格式 - 记忆 FLASH
Memory 型 FLASH - NAND
内存大小 4G (256M x 16)
速度 -
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 63-VFBGA
供应商器件封装 63-VFBGA (9x11)
包装材料 Bulk
包装 63VFBGA
电池类型 SLC NAND
密度 4 Gb
建筑 Sectored
块组织 Symmetrical
典型工作电源电压 3.3 V
扇区大小 128Kbyte x 4096
定时类型 Asynchronous
工作温度 -40 to 85 °C
地址总线宽度 1 Bit
接口类型 Parallel
页面大小 2 KB
标准包装 Trays
安装 Surface Mount
包装宽度 9
引导块 No
PCB 63
筛选等级 Industrial
地址总线宽度 29
典型工作电源电压 3.3
欧盟RoHS指令 Compliant
字数 256M
最低工作温度 -40
供应商封装形式 VFBGA
标准包装名称 BGA
最高工作温度 85
每字位数 16
包装长度 11
最低工作电源电压 2.7
引脚数 63
最大工作电流 35
包装高度 0.65
最大随机存取时间 25
最大工作电源电压 3.6
密度 4G
铅形状 Ball
封装 Bulk
格式 - 存储器 FLASH
供应商设备封装 63-VFBGA (9x11)
内存类型 FLASH - NAND
存储容量 4G (256M x 16)
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳 63-VFBGA
接口 Parallel
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
访问时间(最大) 25 ns
地址总线 29 b
引导类型 Not Required
工作温度范围 -40C to 85C
包装类型 VFBGA
字长 16 b
工作温度(最大) 85C
工作温度(最小值) -40C
同步/异步 Asynchronous
工作温度分类 Industrial
可编程 Yes
电源电流 35 mA
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 3.3 V
工作电源电压(最小值) 2.7 V
工作电源电压(最大值) 3.6 V

MT29F4G16ABADAH4-IT:D系列产品

MT29F4G16ABADAH4-IT:D也可以通过以下分类找到

MT29F4G16ABADAH4-IT:D相关搜索

订购MT29F4G16ABADAH4-IT:D.产品描述:SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4Gbit 256M x 16bit 25ns 63-Pin VFBGA. 生产商: micron.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149921
    010-82149488
    010-82149008
    010-62155488
    010-57196138
  • 深圳
  • 0755-82511472
    0755-83247615
    0755-83997440
    0755-83975736
  • 苏州
  • 0512-67684200
    0512-68796728
    0512-67687578
    0512-67683728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com