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数量:133 |
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文档 |
Fab Site Transistion 19/Nov/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
格式 - 记忆 | FLASH |
Memory 型 | FLASH - NAND |
内存大小 | 4G (256M x 16) |
速度 | - |
接口 | Parallel (Byte-wide) |
- 电源电压 | 2.7 V ~ 3.6 V |
操作温度 | -40°C ~ 85°C |
包/盒 | 63-VFBGA |
供应商器件封装 | 63-VFBGA (9x11) |
包装材料 | Bulk |
包装 | 63VFBGA |
电池类型 | SLC NAND |
密度 | 4 Gb |
建筑 | Sectored |
块组织 | Symmetrical |
典型工作电源电压 | 3.3 V |
扇区大小 | 128Kbyte x 4096 |
定时类型 | Asynchronous |
工作温度 | -40 to 85 °C |
地址总线宽度 | 1 Bit |
接口类型 | Parallel |
页面大小 | 2 KB |
标准包装 | Trays |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 9 |
引导块 | No |
PCB | 63 |
筛选等级 | Industrial |
地址总线宽度 | 29 |
典型工作电源电压 | 3.3 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
字数 | 256M |
最低工作温度 | -40 |
供应商封装形式 | VFBGA |
标准包装名称 | BGA |
最高工作温度 | 85 |
每字位数 | 16 |
包装长度 | 11 |
最低工作电源电压 | 2.7 |
引脚数 | 63 |
最大工作电流 | 35 |
包装高度 | 0.65 |
最大随机存取时间 | 25 |
最大工作电源电压 | 3.6 |
密度 | 4G |
铅形状 | Ball |
封装 | Bulk |
格式 - 存储器 | FLASH |
供应商设备封装 | 63-VFBGA (9x11) |
内存类型 | FLASH - NAND |
存储容量 | 4G (256M x 16) |
电压 - 电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
封装/外壳 | 63-VFBGA |
接口 | Parallel |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
访问时间(最大) | 25 ns |
地址总线 | 29 b |
引导类型 | Not Required |
工作温度范围 | -40C to 85C |
包装类型 | VFBGA |
字长 | 16 b |
工作温度(最大) | 85C |
工作温度(最小值) | -40C |
同步/异步 | Asynchronous |
工作温度分类 | Industrial |
可编程 | Yes |
电源电流 | 35 mA |
弧度硬化 | No |
工作电源电压(典型值) | 3.3 V |
工作电源电压(最小值) | 2.7 V |
工作电源电压(最大值) | 3.6 V |
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