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数量:448 |
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文档 |
Fab Site Transistion 19/Nov/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
格式 - 记忆 | FLASH |
Memory 型 | FLASH - NAND |
内存大小 | 32G (4G x 8) |
速度 | - |
接口 | Parallel (Byte-wide) |
- 电源电压 | 2.7 V ~ 3.6 V |
操作温度 | 0°C ~ 70°C |
包/盒 | 100-VBGA |
供应商器件封装 | 100-VBGA (12x18) |
包装材料 | Bulk |
Tensione德alimentazione D' esercizio最低标准 | 2.7 |
Organizzazione德尔blocco | Symmetrical |
Confezione fornitore | VBGA |
Tensione D' esercizio TIPICA | 3.3 |
Montaggio | Surface Mount |
Numero di bit per parola | 8 |
Tensione德alimentazione D' esercizio massima | 3.6 |
包装宽度 | 12 |
PCB | 100 |
Densità | 32G |
NUMERO二假释 | 4G |
符合UE | Compliant |
TIPO二时机 | Asynchronous |
诺姆标准苏拉confezione | BGA |
Temperatura d'esercizio minima | 0 |
经conduttore | Ball |
TIPO二内殿 | SLC NAND |
NUMERO DEI针 | 100 |
Ampiezza indirizzo bus | 1 |
Architettura | Sectored |
Corrente d'esercizio massima | 50 |
包装长度 | 18 |
Blocco德尔启动 | No |
包装高度 | 0.63 |
TIPO二interfaccia | Parallel|Serial |
Massima temperatura d'esercizio | 70 |
Livello二筛查 | Commercial |
封装 | Bulk |
格式 - 存储器 | FLASH |
标准包装 | 1,000 |
供应商设备封装 | 100-VBGA (12x18) |
内存类型 | FLASH - NAND |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
存储容量 | 32G (4G x 8) |
电压 - 电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
封装/外壳 | 100-VBGA |
接口 | Parallel |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
地址总线 | 1 b |
引导类型 | Not Required |
接口类型 | Parallel/Serial |
安装 | Surface Mount |
工作温度范围 | 0C to 70C |
包装类型 | VBGA |
引脚数 | 100 |
密度 | 34359738368 Bit |
字数 | 4G |
字长 | 8 b |
工作温度(最大) | 70C |
工作温度(最小值) | 0C |
同步/异步 | Asynchronous |
工作温度分类 | Commercial |
可编程 | Yes |
电源电流 | 50 mA |
弧度硬化 | No |
工作电源电压(典型值) | 3.3 V |
工作电源电压(最小值) | 2.7 V |
工作电源电压(最大值) | 3.6 V |
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